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2N6520	文件：341.17 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：341.17 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N6520_15	文件：242.86 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：242.86 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N6520	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2N6520	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
2N6520-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A TO92	Micro Commercial Co	Micro Commercial Co
2N6520BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6520RLRA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N652(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC193,2N1189,2N1190,2SB405ST,3AX55B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β>80
图片代号：
D-9
vtest：
45
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Power Dissipation：
200mW
Maximum Operating Temperature：
100°C
Maximum Emitter Base Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@1.25mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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