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2N652A

alloy-junction germanium transistors

[INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors

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未分类制造商

2N652A

Trans GP BJT PNP 0.5A

NJS

NJS

2N652

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS

文件:1.1394 Mbytes 页数:2 Pages

AMMSEMI

2N652

alloy-junction germanium transistors

[INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors

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未分类制造商

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    200mW

  • Maximum Operating Temperature:

    100°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    30V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.5A

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.25@1.25mA@50mA

  • Maximum Collector Base Voltage:

    45V

  • Material:

    Ge

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N652A供应商 更新时间2025-11-30 8:01:00