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2N6059	文件：185.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 文件：185.99 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6059	文件：45.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：45.48 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6059	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：149.78 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6059	文件：130.66 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：130.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6059	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：80.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N6059_03	文件：45.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：45.48 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6059_10	文件：185.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 文件：185.99 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6051	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington PNP Silicon Power -80V to -100V, -12A This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, silicon, power, 2N6051 and 2N6052 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/501. The device package outlines are as follows	Microchip 微芯科技	Microchip
2N6052	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington PNP Silicon Power -80V to -100V, -12A This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, silicon, power, 2N6051 and 2N6052 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/501. The device package outlines are as follows	Microchip 微芯科技	Microchip
2N6052	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications. • High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAVCEO(sus) = 80 Vdc (Min)2N6058100 Vdc (Min)2N6052, 2N6059\n• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors\n• This is a Pb-Free Device;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6052
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N6052
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6052	onsemi	25+	TO-204(TO-3)	11543	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N6052		24+	TO-3	10000	全新	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2N6052	ST	1215+	TO-3	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市弘为电子有限公司	2N6052	MOTOROLA	24+	TO-3	2000	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2N6052	ON	23+	TO-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2N6052	MOT	25+	TO-3	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市昊创电子有限公司	2N6052	MOTOROLA/摩托罗拉	专业铁帽	TO-3	1000	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
深圳市纳立科技有限公司	2N6052		三年内		1983	只做原装正品	询价
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