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2N6056	文件：15.51 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.51 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
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2N6057	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：80.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N6057	文件：146.55 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 文件：146.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2N6058	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：80.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET

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晶体管资料

型号：
2N6052
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N6052
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6052	onsemi	25+	TO-204(TO-3)	11543	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N6052		24+	TO-3	10000	全新	询价
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