2N6052中文资料12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

特性 Features

• High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage— @ 100 mAVCEO(sus) = 80 Vdc (Min)—2N6058100 Vdc (Min)—2N6052, 2N6059
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• This is a Pb-Free Device

简介

2N6052属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N6052晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。