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2N6052中文资料12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N6052

参数属性

2N6052 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

功能描述

12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-10 9:21:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6052

  • 别名:

    2N6052三极管、2N6052晶体管、2N6052晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6052规格书详情

描述 Description

This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

特性 Features

• High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage— @ 100 mAVCEO(sus) = 80 Vdc (Min)—2N6058100 Vdc (Min)—2N6052, 2N6059
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• This is a Pb-Free Device

简介

2N6052属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2N6052晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N6052

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :12

  • V(BR)CEO Min (V)

    :100

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :0.75

  • hFE Max (k)

    :18

  • fT Min (MHz)

    :4

  • Package Type

    :TO-204-2

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