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Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：140.79 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：131.77 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 70-200@IC= 2.5A • Wide Area of Safe Operation • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) • Complement to Type 2N5605 APPLICATIONS • Designed for use in high frequency power amplifiers, audio power amplifier and drivers 文件：127.26 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier; and switching applications 文件：114.55 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier; and switching applications 文件：140.74 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier; and switching applications 文件：119.05 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：131.77 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：140.79 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
文件：96.18 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：114.68 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
>70MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD244B,BD600,MJE15029,MJE15031,3CA10F,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-8
- vtest：
100
- htest：
70000100
- atest：
5
- wtest：
25
产品属性
- 产品编号：
2N5609
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 250µA， 2.5mA
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
RENESAS |
25+ |
TO-92L |
300000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
RENESAS |
26+ |
QFN-20 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
询价 | ||
Microchip Technology |
25+ |
TO-213AA TO-66-2 |
9350 |
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Microchip Technology / Atmel |
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询价 | ||
Microchip Technology / Atmel |
25+ |
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6895 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
MOTOROLA |
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CAN3 |
1200 |
原装现货假一罚十 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOTOROLA |
专业铁帽 |
CAN3 |
1000 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
CAN3 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 |
