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2N5663	文件：63.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454 文件：63.27 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5663	文件：203.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E • JAN level (2N5663J) • JANTX level (2N5663JX) • JANTXV level (2N5663JV) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MIL-STD-750 method 2072 for JANTXV • Radiation testing ( 文件：203.35 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N5663	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5663	文件：80.8 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS NPN 200, 300V 0.5 AMP SWITCHING T0-66 文件：80.8 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5663	文件：22.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN BIPOLAR POWER SWITCHING 文件：22.36 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5663	文件：159.15 Kbytes Page：3 Pages	SILICON POWER NPN TRANSISTOR 文件：159.15 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5663	文件：11.1 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 文件：11.1 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5663	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa	Semicoa
2N5663	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin TO-5	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5663	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
2N5663
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS49,BUX54,BUX64,2N3439,3DK305A,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
400
htest：
20000100
atest：
1
wtest：
15

产品属性

产品编号：
2N5663
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/454
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 500mA，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5AA
描述：
POWER BJT

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更多2N5663供应商更新时间2026-4-17 13:30:00

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