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2N3055AG	文件：143.21 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon High-Power Transistors These PowerBase complementary transistors are designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc−to−dc converters, inverters, or for inductive loads requiring higher safe oper 文件：143.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055C	文件：125.3 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：125.3 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3055ESMD	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device. VCEO = 60V IC = 15A 文件：14.67 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3055G	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：81.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055G	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：71.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055H	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：81.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055H	文件：152.31 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier Applications. 文件：152.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3055H	文件：84.97 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-P-N GENERAL - PURPOSE SILICON NPN GENERAL PURPOSE 2N3055 are Homataxial-base type useful for power switching circuits, for series- and shunt-regulator driver and output stages, and for high-fidelity amplifiers. 文件：84.97 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3055HV	文件：246.05 Kbytes Page：4 Pages	NPN POWER TRANSISTOR Switching Regulator and Power Amplifier Applications TO-3 Metal Can Package 文件：246.05 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3055HV	文件：40.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-3 Power Package Transistors (NPN) TO-3 Power Package Transistors (NPN) 文件：40.46 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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晶体管资料

型号：
2N3055(E,H,S,U,)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
最大耗散功率：
115W
放大倍数：
图片代号：
D-44
vtest：
100
htest：
2500100
atest：
15
wtest：
115

产品属性

产品编号：
2N3055
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N305供应商更新时间2025-12-26 10:01:00

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