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2N3054A	文件：15.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER TRANSISTOR IN A HERMETIC PACKAGE FEATURES • GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS. • MAINTENANCE STATUS DO NOT USE ON NEW DESIGNS 文件：15.58 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3054A	文件：182.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package APPLICATIONS • Designed for general purpose switching and amplifier applications 文件：182.18 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3054A	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N3054A	文件：88.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3054, 2N3054A devices are silicon NPN power transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：88.27 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
2N3055	文件：336.47 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS General Purpose Switching and Amplifier Applications 2N3055 NPN MJ2955 PNP 文件：336.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3055	文件：493.29 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3055 and MJ2955 are complementary silicon power transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case, designed for general purpose switching and amplifier applications. 文件：493.29 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
2N3055	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：71.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：174.38 Kbytes 页数：3 Pages	boca 博卡	boca
2N3055	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：81.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3055	文件：57.52 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR 文件：57.52 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

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晶体管资料

型号：
2N3055(E,H,S,U,)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
最大耗散功率：
115W
放大倍数：
图片代号：
D-44
vtest：
100
htest：
2500100
atest：
15
wtest：
115

产品属性

产品编号：
2N3055
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N305供应商更新时间2025-12-25 19:10:00

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