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2N3055G	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3055G	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3055G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 15A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3055	文件：167.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)	MOSPEC MOSPEC
2N3055	文件：130.46 Kbytes Page：4 Pages	15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
2N3055	文件：235.85 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
2N3055	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N3055	文件：83.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNTRANSISTORFORPOWERFULAFOUTPUTSTAGES NPNTransistorforPowerfulAFOutputStage 2N3055isasinglediffusedNPNsilicontransistorinTO3case(3A2DIN41872).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorisparticularlysuitableforuseinpowerfulAFoutputstagesandinstabilizedpowersupplyunits.	SIEMENS Siemens Ltd
2N3055	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS115WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
2N3055	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3055	文件：40.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-3PowerPackageTransistors(NPN) TO-3PowerPackageTransistors(NPN)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2N3055	文件：55.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNTRANSISTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N3055	文件：14.39 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage BipolarNPNDevice. VCEO=100V IC=15A	SEME-LAB Seme LAB
2N3055	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3055	文件：150.61 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited
2N3055	文件：92.97 Kbytes Page：7 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N3055	文件：234.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhighfidelityamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
2N3055	文件：151.46 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCCurrentGain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc ·ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifier	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N3055	文件：57.52 Kbytes Page：2 Pages	NPNPOWERSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N3055	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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产品属性

产品编号：
2N3055G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2.5MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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