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2N3055C	文件：125.3 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：125.3 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3055C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray	NJS	NJS
2N3055E	文件：14.7 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 文件：14.7 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3055ESMD	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device. VCEO = 60V IC = 15A 文件：14.67 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3055G	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：81.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N3055C,V
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD315,BD745B,BDW51B,2N5629,2N5630,2N5631,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Maximum Transition Frequency：
2.5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
115000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.1@400mA@4A
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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