2N3055G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3055G |
| 参数属性 | 2N3055G 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 15A TO204 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
81.17 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 13:52:00 |
| 人工找货 | 2N3055G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3055G规格书详情
2N3055G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的2N3055G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS
Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications.
特性 Features
• DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc
• Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
• Excellent Safe Operating Area
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
2N3055G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
- 频率 - 跃迁：
2.5MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN 60V 15A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
专业铁帽 |
TO-3 |
3000 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-3 |
2446 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
TO-204AA |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ONSEMI |
24+ |
TO-3P |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-3 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
TO |
351 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-204AA |
105000 |
100个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 |
