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丝印：110N100；Package：TO-220；N-Channel Trench MOSFET Features Advanced trench cell design Low Thermal Resistance VDSS≥100V RDS(ON)≦4.1mΩ@VGS=10V 文件：1.07406 Mbytes 页数：5 Pages | RECTRON 丽正国际 | RECTRON |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-7 11:06:00
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