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RM110N100BT2

丝印:110N100;Package:TO-220;N-Channel Trench MOSFET

Features Advanced trench cell design Low Thermal Resistance VDSS≥100V RDS(ON)≦4.1mΩ@VGS=10V

文件:1.07406 Mbytes 页数:5 Pages

RECTRON

丽正

RM110N100BT2

MOSFET

Rectron

丽正

RM15TB-H

模块

MITSUBISHI

三菱电机

上传:深圳市毅创腾电子科技有限公司

RM1695

qfn-32

REDMERE

RM250UZ-24

模块

MITSUBISH

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    110 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    3.5 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    65 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    80 W

  • Vgs(th) (typ):

    3.0 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    5040 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    Through Hole

  • Package / Case:

    TO-220

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更多RM110N100BT2供应商 更新时间2026-7-27 11:06:00