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PB020NE7N3G	文件：535.39 Kbytes Page：9 Pages	Marking：020NE7N；Package：PG-TO263-3；3Power-Transistor Features Optimizedtechnologyforsynchronousrectification IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ExcellentgatechargeXRponProduct(FOM) Verylowon-resistanceRosen) N-channel,normallevel 100%avalanchetested Pb-freeplating;RoHScompliant Qualified	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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PB020NE7N3G

文件：535.39 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：020NE7N；Package：PG-TO263-3；3Power-Transistor

Features Optimizedtechnologyforsynchronousrectification IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ExcellentgatechargeXRponProduct(FOM) Verylowon-resistanceRosen) N-channel,normallevel 100%avalanchetested Pb-freeplating;RoHScompliant Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多020NE7N供应商更新时间2025-5-21 14:02:00

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