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0100	文件：262.98 Kbytes Page：12 Pages	型号：PESD5V0S1ULD；Package：DFN1006D-2；Unidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients.ThedeviceishousedinaSOD882D leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolde	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
0100	文件：254.84 Kbytes Page：12 Pages	型号：PESD5V0X2UMB-Q；Package：DFN1006B-3；Ultra low capacitance unidirectional double ESD protection diode 1.Generaldescription UltralowcapacitanceunidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeina DFN1006B-3(SOT883B)leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage, designedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
0100	文件：1.23202 Mbytes Page：15 Pages	型号：PMEG2010EPK；Package：DFN1608D-2；20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinaleadlessultrasmall SOD1608(DFN1608D-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderableside	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
0100	文件：701 Kbytes Page：14 Pages	型号：PMZB350UPE；Package：SOT883B；20 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01000000	文件：988.04 Kbytes Page：12 Pages	型号：2PA1774QMB；Package：SOT883B；40 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01001011	文件：462.56 Kbytes Page：12 Pages	型号：BC846BMB；Package：DFN1006B-3；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits •LeadlessultrasmallSMDplasticpackage •Lowpackageheightof0.37mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01001011	文件：462.56 Kbytes Page：12 Pages	型号：BC846BMB/S501；Package：DFN1006B-3；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits •LeadlessultrasmallSMDplasticpackage •Lowpackageheightof0.37mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01001011	文件：462.56 Kbytes Page：12 Pages	型号：BC846BMBSLASHS501；Package：DFN1006B-3；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits •LeadlessultrasmallSMDplasticpackage •Lowpackageheightof0.37mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01000001	文件：1.00773 Mbytes Page：14 Pages	型号：BC847AMB；Package：SOT883B；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
01000010	文件：1.00773 Mbytes Page：14 Pages	型号：BC847BMB；Package：SOT883B；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
0100
功能描述：
ESD 抑制器 7.2 V 200 pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

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