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NCE0102E

丝印:0102E;Package:SOT-23;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 2A RDS(ON)

文件:625.97 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

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更多0102E供应商 更新时间2025-9-17 9:01:00