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011N08N5	文件：1.34933 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPTG011N08NM5；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.34933 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPTG011N08NM5；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多011N08N5供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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