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012N06N	文件：906.71 Kbytes Page：11 Pages	型号：BSC012N06NS；Package：TSON-8-3；OptiMOSTM5 Power-Transistor, 60 V Features •Optimizedforsynchronousrectification •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •175°Crated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
012N06N	文件：1.02236 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPT012N06N；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
012N06NS	文件：1.06673 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPF012N06NF2S；Package：PG-TO263-7；StrongIRFETTM2 Power-Transistor Features •Optimizedforwiderangeofapplications •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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型号：BSC012N06NS；Package：TSON-8-3；OptiMOSTM5 Power-Transistor, 60 V

Features •Optimizedforsynchronousrectification •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •175°Crated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IPT012N06N；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

InfineonInfineon Technologies AG

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型号：IPF012N06NF2S；Package：PG-TO263-7；StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features •Optimizedforwiderangeofapplications •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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更多012N06N供应商更新时间2025-7-31 16:22:00

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