N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化，例如，叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案，这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。 • 行业内较低的 (RDS(on))\n• 最高电流容量高达 300A\n• 极低的封装寄生效应和电感\n\n优势:\n• 需要较少的并联和冷却\n• 提高系统可靠性\n• 降低系统成本\n• 支持极为紧凑的设计;

Infineon

英飞凌

丝印：012N06N；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.02236 Mbytes 页数：11 Pages

INFINEON

英飞凌

MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 11.9 m, 42 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件：258.75 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 11.9 m, 42 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件：258.75 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

60V Single N-Channel MOSFET

文件：871.91 Kbytes 页数：8 Pages

PFC

节能元件