首页 >丝印反查>015N10NS

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IPT015N10NF2S

丝印:015N10NS;Package:PG-HSOF-8;StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件:989.32 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

PSMN015N10NS2

丝印:015N10NS;Package:TOLL;100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature  RDS(ON)

文件:1.037869 Mbytes 页数:6 Pages

PANJIT

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更多015N10NS供应商 更新时间2024-2-29 11:17:00