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019N12N6	文件：1.030599 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPF019N12NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitching •Pb-freeleadplating;RoHSco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.030599 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPF019N12NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitching •Pb-freeleadplating;RoHSco

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IPF019N12NM6	Infineon	23+	PG-TO263-7	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
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深圳市慧拓科技有限公司	IPF024N10NF2SATMA1	Infineon Technologies	23+/22+		800	原装进口订货7-10个工作日	询价
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更多019N12N6供应商更新时间2025-8-4 18:08:00

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