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BC847BMB	文件：1.12679 Mbytes Page：14 Pages	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BMB	文件：1.00773 Mbytes Page：14 Pages	Marking：01000010；Package：SOT883B；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC847BMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847BP	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847BP	文件：130.03 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847BPDW	文件：1.00416 Mbytes Page：9 Pages	Pb?묯reePackageisAvailable	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC847BPDW	文件：987.1 Kbytes Page：11 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPN/PNPDUAL(COMPLIMENTARY) DESCRIPTION Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.TheBC846BPDW~BC848CPDWisavailableinSC–88	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC847BPN	文件：47.58 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinanSC-88;SOT363plasticpackage. FEATURES •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors. APPLICATIO	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BPN	文件：145.57 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTNPN/PNPTRANSISTORS(COMPLIMENTARY) DUALSURFACEMOUNTNPN/PNPTRANSISTORS(COMPLIMENTARY) Thisdevicecontainstwoelectrically-isolatedcomplimentarypair(NPNandPNP)general-purposetransistors.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●Electrically-IsolatedComplimentaryTr	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
BC847BMB
功能描述：
两极晶体管 - BJT 45V NPN 100mA 250mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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