ZXTN2040F中文资料NPN, 40V, 1A, SOT23数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
ZXTN2040F |
| 参数属性 | ZXTN2040F 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN, 40V, 1A, SOT23 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 9:19:00 |
| 人工找货 | ZXTN2040F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXTN2040F规格书详情
描述 Description
This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching.
应用 Application
Power MOSFET gate drivingLow loss power switching
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
ZXTN2040F属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXTN2040F晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：ZXTN2040F
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：On Request*
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：1 A
- ICM (A)
：2 A
- PD (W)
：0.35 W
- hFE (min)
：300 Min
- hFE(@ IC)
：0.5 A
- hFE(Min 2)
：200
- hFE(@ IC2)
：1 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：200 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)
：1/50
- VCE (SAT)(Max.2)
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：1/100
- fT (MHz)
：150 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-23-3 |
11609 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-23 |
18000 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT23 |
12000 |
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DIODES/美台 |
15+ |
SOT23 |
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ZETEX |
24+ |
SOT-23 |
3500 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
SOT-23-3 |
12245 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23-3 |
9000 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT23 |
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询价 |
