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ZXT10N50DE6TC	文件：223.19 Kbytes Page：6 Pages	50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT10N50DE6TC	文件：235.78 Kbytes Page：6 Pages	50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXT10N50DE6TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT23-6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
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ZXT10N50DE6TA	文件：355.87 Kbytes Page：7 Pages	NPNLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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产品属性

产品编号：
ZXT10N50DE6TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
165MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-23-6
描述：
TRANS NPN 50V 3A SOT23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZXT10N50DE6TC供应商更新时间2024-4-30 15:00:00

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