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ZXMP3A17E6	文件：196.31 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：196.31 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMP3A17E6	文件：160.34 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：160.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP3A17E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure\nthat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This\nmakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMP3A17E6TA	文件：456.85 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：456.85 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMP3A17E6_15	文件：680.16 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：680.16 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP3A17E6TA	文件：160.34 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：160.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP3A17E6TA	文件：680.16 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：680.16 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
70 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
110 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
15.8 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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更多ZXMP3A17E6供应商更新时间2026-1-29 11:02:00

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