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ZXMS6006SG	文件：249.12 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：249.12 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQ	文件：702.81 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：702.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQ_V01	文件：702.81 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：702.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQ-13	文件：702.81 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6006S；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：702.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQTA	文件：702.81 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6006S；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：702.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQ	文件：321.4 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：321.4 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGQTA	文件：321.4 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：321.4 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SGTA	文件：249.12 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：249.12 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6006SG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET The ZXMS6006SG is N channel enhancement mode self protected low side MOSFET with logic level input. It integrates over-temperature, over-current, over-voltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality and is ideally suited to general purpose switching, driven from 3.3V or 5V microco	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMS6006SGQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T\u0026R 1	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
ZXMS6006SGQ
Configuration：
Single
Polarity：
N
TAB：
Source
BVDSS：
60 V
ID VIN = 5V：
2.8 A
PD：
1.6 W
RDS(ON) Max @ VIN (3V)：
125 mΩ
RDS(ON) Max @VIN (5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VIN (10V)：
N/A mΩ
VDS VIN = 5V (S/C)：
16 %
EAS：
480 mJ
TJ：
150 °C
Packages：
SOT223

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更多ZXMS6006SG供应商更新时间2026-1-24 15:10:00

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