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ZXMP6A13FQ	文件：288.54 Kbytes Page：8 Pages	60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXMP6A13FQ_15	文件：288.54 Kbytes Page：8 Pages	ZXMP6A13FQ_15	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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ZXMP6A13FTA	文件：1.12034 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable RoHS* COMPLIANT	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMP6A13FTA	文件：1.19791 Mbytes Page：14 Pages	XTR111DemonstrationFixtureUsersGuide 2HardwareFeatures ThissectiondescribesthehardwarefeaturesfoundontheXTR111EVM. 2.1XTR111EVM TheXTR111EVMisusedforthebasicfunctionalevaluationoftheXTR111.TheEVMprovidesthe followingfeatures: •EasyhandlingofthesmallDFNpackage.TheDFNdeviceisalreadysoldered	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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