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ZXMS6004DG	文件：485.85 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode 文件：485.85 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DG	文件：485.85 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode Intellifet MOSFET 文件：485.85 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQ	文件：686.1 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：686.1 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQ_V01	文件：686.1 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：686.1 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQ-13	文件：711.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6004D；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET Description The ZXMS6004DGQ-13 is a self protected low side IntelliFET™ MOSFET with logic level input. It integrates over-temperature, overcurrent, over-voltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6004DGQ-13 is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V 文件：711.96 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQTA	文件：686.1 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6004D；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：686.1 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQ	文件：435.32 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：435.32 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGQTA	文件：435.32 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：435.32 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DGTA	文件：485.85 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode Intellifet MOSFET 文件：485.85 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6004DG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET The ZXMS6004DG is a self protected low side MOSFET with logic level\ninput. It integrates over-temperature, over-current, over-voltage (active\nclamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6004DG is\nideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V\nmicrocontrollers in harsh e	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
ZXMS6004DGQ
Configuration：
Single
Polarity：
N
TAB：
Drain
BVDSS：
60 V
ID VIN = 5V：
1.3 A
PD：
3 W
RDS(ON) Max @ VIN (3V)：
600 mΩ
RDS(ON) Max @VIN (5V)：
500 mΩ
RDS(ON) Max @ VIN (10V)：
N/A mΩ
VDS VIN = 5V (S/C)：
36 %
EAS：
490 mJ
TJ：
150 °C
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ZXMS6004DG	ZETEX/DOIDEOS	23+	SOT-223	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳诚思涵科技有限公司	ZXMS6004DGTA	原装ZETEX	19+	SOT-223	20000		询价
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更多ZXMS6004DG供应商更新时间2026-1-26 11:10:00

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