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ZXMS6005SG	文件：562.21 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET??MOSFET 文件：562.21 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQ	文件：573.78 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：573.78 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQ_V01	文件：573.78 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：573.78 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQ-13	文件：573.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6005S；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：573.78 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQTA	文件：573.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：ZXMS6005S；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Features  Compact High Power Dissipation Package  Low Input Current  Logic Level Input (3.3V and 5V)  Short Circuit Protection with Auto Restart  Over Voltage Protection (Active Clamp)  Thermal Shutdown with Auto Restart  Over-Current Protection  Input Protection (ESD)  High Cont 文件：573.78 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQ	文件：411.7 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：411.7 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGQTA	文件：411.7 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：411.7 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SGTA	文件：562.21 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET??MOSFET 文件：562.21 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6005SG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET The ZXMS6005SG is a self protected low side MOSFET with logic\nlevel input. It integrates over-temperature, over-current, over-voltage\n(active clamp) and ESD protected logic level functionality. The\nZXMS6005SG is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V\nor 5V microcontrollers in harsh e	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMS6005SGQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T\u0026R 1	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
ZXMS6005SGQ
Configuration：
Single
Polarity：
N
TAB：
Source
BVDSS：
60 V
ID VIN = 5V：
2 A
PD：
1.6 W
RDS(ON) Max @ VIN (3V)：
250 mΩ
RDS(ON) Max @VIN (5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VIN (10V)：
N/A mΩ
VDS VIN = 5V (S/C)：
24 %
EAS：
480 mJ
TJ：
150 °C
Packages：
SOT223

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