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ZXMN6A08GTA	文件：1.09006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.09006 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMN6A08K_15	文件：665.9 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：665.9 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08E6Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN6A08E6TA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
ZXMN6A08E6Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.8 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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