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ZXMN6A08GQ	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	60V SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  BLDC Motors  DC-DC Converters  Load Switch Features and Benefits  Low On-Resistance  Fast S 文件：863.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQTA	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：ZXMN6A08；Package：SOT223；60V SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  BLDC Motors  DC-DC Converters  Load Switch Features and Benefits  Low On-Resistance  Fast S 文件：863.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQTC	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：ZXMN6A08；Package：SOT223；60V SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  BLDC Motors  DC-DC Converters  Load Switch Features and Benefits  Low On-Resistance  Fast S 文件：863.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•Low Threshold\n•Low Gate Drive;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.3 A
PD @ TA = +25°C：
3.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.8 nC
Packages：
SOT223

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更多ZXMN6A08GQ供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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