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ZXMN6A25DN8	文件：241.82 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：241.82 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN6A25DN8	文件：716.1 Kbytes Page：8 Pages	Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：716.1 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN6A25DN8	文件：727.5 Kbytes Page：8 Pages	Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：727.5 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A25DN8	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation trench MOSFET from Zetex\nfeatures a unique structure combining the benefits of\nlow on-resistance and fast switching, making it ideal\nfor high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN6A25DN8_06	文件：716.1 Kbytes Page：8 Pages	Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：716.1 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN6A25DN8TA	文件：241.82 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：241.82 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN6A25DN8TA	文件：1.08898 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08898 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMN6A25DN8TA	文件：716.1 Kbytes Page：8 Pages	Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：716.1 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN6A25DN8TC	文件：716.1 Kbytes Page：8 Pages	Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：716.1 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
70 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
20.4 nC
Packages：
SO-8

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