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ZXMN7A11G	文件：416.83 Kbytes Page：8 Pages	70V N-channel enhancement mode MOSFET 文件：416.83 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN7A11G	文件：1.05825 Mbytes Page：8 Pages	70V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.05825 Mbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN7A11G_15	文件：1.05825 Mbytes Page：8 Pages	70V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.05825 Mbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN7A11GTA	文件：1.05825 Mbytes Page：8 Pages	70V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.05825 Mbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN7A11GTA	文件：1.08993 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.08993 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMN7A11GTA	文件：416.83 Kbytes Page：8 Pages	70V N-channel enhancement mode MOSFET 文件：416.83 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN7A11GTA	文件：1.05825 Mbytes Page：8 Pages	70V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.05825 Mbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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ZXMN7A11GTC	文件：1.05825 Mbytes Page：8 Pages	70V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.05825 Mbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
70 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.8 A
PD @ TA = +25°C：
3.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
130 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
190 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.4 nC
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZXMN7A11G供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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