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ZXMN6A08GQ中文资料60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXMN6A08GQ

功能描述

60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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ZXMN6A08GQ规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP.

特性 Features

•Low On-Resistance
•Fast Switching Speed
•Low Threshold
•Low Gate Drive

应用 Application

•BLDC Motors
•DC-DC Converters
•Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXMN6A08GQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :5.3 A

  • PD @ TA = +25°C

    :3.9 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :80 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :150 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :5.8 nC

  • Packages

    :SOT223

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