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ZXMN6A11Z	文件：201.25 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 60V; RDS(ON)= 0.140 ID= 3.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management app 文件：201.25 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN6A11Z	文件：587.81 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low thresho 文件：587.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A11Z	文件：576.86 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：576.86 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN6A11ZTA	文件：201.25 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 60V; RDS(ON)= 0.140 ID= 3.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management app 文件：201.25 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN6A11ZTA	文件：587.81 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low thresho 文件：587.81 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A11Z_06	文件：576.86 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：576.86 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN6A11Z_15	文件：207.44 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT89 PACKAGE 文件：207.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN6A11ZTA	文件：1.01956 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01956 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMN6A11ZTA	文件：576.86 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET 文件：576.86 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN6A11Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique\nstructure combining the benefits of low on-resistance and fast\nswitching, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.6 A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
180 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.7 nC
Packages：
SOT89

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