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ZXMN10A08E6TA	文件：1.03653 Mbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fa	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A08E6TA	文件：240.06 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed,thismakesitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •Powermanagementfunctions •DisconnectSwitches	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXMN10A08E6TA	文件：458.27 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMN10A08E6TC	文件：1.03653 Mbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fa	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A08E6TC	文件：240.06 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed,thismakesitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •Powermanagementfunctions •DisconnectSwitches	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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ZXMN10A08E6TC	文件：525.59 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXMN10A08E6TC	文件：186.85 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A08E6	文件：240.06 Kbytes Page：8 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed,thismakesitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •Powermanagementfunctions •DisconnectSwitches	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
ZXMN10A08E6T
功能描述：
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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