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ZXMP10A18KTC	文件：818.62 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthreshold •Lowga	Zetex Zetex Semiconductors
ZXMP10A18KTC	文件：829.14 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •FastSwitchingSpeed •LowThresh	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXMP10A18KTC	文件：1.04674 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AEE10A18-L	文件：717.13 Kbytes Page：3 Pages	POWER50Watts	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
VRPB-10A18L	文件：518.539 Kbytes Page：22 Pages	NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A	bel Bel Fuse Inc.
VRPB-10A18S	文件：518.539 Kbytes Page：22 Pages	NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A	bel Bel Fuse Inc.
ZXMP10A18G	文件：282.82 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-100V:RDS(on)=0.150;ID=-3.7A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powerman	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXMP10A18G	文件：273.2 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors
ZXMP10A18GTA	文件：273.2 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors
ZXMP10A18GTA	文件：282.82 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-100V:RDS(on)=0.150;ID=-3.7A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powerman	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXMP10A18GTC	文件：273.2 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors
ZXMP10A18GTC	文件：282.82 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-100V:RDS(on)=0.150;ID=-3.7A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powerman	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXMP10A18K	文件：818.62 Kbytes Page：8 Pages	100VDPAKP-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthreshold •Lowga	Zetex Zetex Semiconductors
ZXMP10A18K	文件：829.14 Kbytes Page：8 Pages	100VDPAKP-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •FastSwitchingSpeed •LowThresh	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

详细参数

型号：
ZXMP10A18KTC
功能描述：
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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