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ZXMN10A08G	文件：440.32 Kbytes Page：8 Pages	100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A08G	文件：447.16 Kbytes Page：8 Pages	100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN10A08G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique\nstructure combining the benefits of low on-resistance and fast\nswitching, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
ZXMN10A08G	文件：1.61205 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
ZXMN10A08GTA	文件：447.16 Kbytes Page：8 Pages	100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN10A08GTA	文件：440.32 Kbytes Page：8 Pages	100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A08G_15	文件：523.52 Kbytes Page：7 Pages	100V SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN10A08GTA	文件：977.64 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.9 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
250 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
300 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.7 nC
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	ZXMN10A08G	ZetexInc	24+	SOT-223TO-261	7500		询价
深圳市振宏微科技有限公司	ZXMN10A08G	DIODES/ZETEX	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	ZXMN10A08G	DIODES/美台	23+	SOT-223	6000	原装正品，支持实单	询价
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更多ZXMN10A08G供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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