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ZXMN3A04K	文件：146.5 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl 文件：146.5 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN3A04K	文件：155.92 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl 文件：155.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN3A04KTC	文件：155.92 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl 文件：155.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN3A04KTC	文件：146.5 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl 文件：146.5 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN3A04K_15	文件：1.15409 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：1.15409 Mbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN3A04K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of Trench MOSFETs from Zetex\nutilizes a unique structure that combines the benefits of\nlow on-resistance with fast switching speed. This\nmakes them ideal for high efficiency, low voltage\npower management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN3A04KTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
18.4 A
PD @ TA = +25°C：
10.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
34 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
36.8 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多ZXMN3A04K供应商更新时间2026-1-26 11:04:00

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