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ZXMN3B04N8	文件：176.37 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 文件：176.37 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN3B04N8	文件：172.58 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 文件：172.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN3B04N8	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN3B04N8_15	文件：172.58 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 文件：172.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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ZXMN3B04N8TC	文件：172.58 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 文件：172.58 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.9 A
PD @ TA = +25°C：
3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
40 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.7 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SO-8

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