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ZXMP10A17E6TA	文件：190.2 Kbytes Page：7 Pages	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchin	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMP10A17E6TA	文件：705.44 Kbytes Page：8 Pages	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •FastSwitchingSpeed •LowGateDrive •LowInputCapacitance •TotallyLead-Fre	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMP10A17E6	文件：190.2 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchin	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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ZXMP10A17E6Q	文件：434.53 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMP10A17E6QTA	文件：434.53 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMP10A17E6TC	文件：190.2 Kbytes Page：7 Pages	100VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchin	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
ZXMP10A17E6TA
功能描述：
MOSFET 100V P-Chanl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ZXMP10A17E6TA供应商更新时间2024-4-30 10:12:00

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