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ZXMN6A08KTC	文件：665.9 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Backlighting • DC-DC Converters • Power management funct 文件：665.9 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
6A08-G	文件：66.56 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Silicon Rectifiers Voltage: 50 to 1000 V Current: 6.0 A RoHS Device Features - Low cost construction. - Diffused Junction. - Low forward voltage drop. - High current capability. 文件：66.56 Kbytes 页数：3 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
6A08S	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC SILICON RECTIFIERS 文件：126.83 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
ZXMN6A08	文件：445.68 Kbytes Page：8 Pages	60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low thres 文件：445.68 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex

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