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ZXMP10A16KTC	文件：750.94 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low ga 文件：750.94 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMP10A16KTC	文件：763.21 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low ga 文件：763.21 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP10A16KTC	文件：1.04719 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04719 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
H10A16	文件：60.93 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT MICROPROCESSOR CRYSTAL 文件：60.93 Kbytes 页数：1 Pages	RALTRON	RALTRON
ZXMP10A16K	文件：763.21 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low ga 文件：763.21 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP10A16K	文件：750.94 Kbytes Page：8 Pages	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low ga 文件：750.94 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX

详细参数

型号：
ZXMP10A16KTC
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V MOSFET(UMOS)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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