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ZXMC3F31DN8	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance making it ideal for power management and battery charging functions.;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
ZXMC3F31DN8	文件：351.13 Kbytes Page：11 Pages	30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.5
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
24
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
39
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.9
Packages：
SO-8

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