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ZXMN2A02N8	文件：171.4 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • Low profile SOIC package APPLICATIONS • Disconnect switches • Motor control 文件：171.4 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN2A02N8	文件：164.48 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：164.48 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN2A02N8	文件：152.94 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：152.94 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN2A02N8	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN2A02N8TA	文件：171.4 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • Low profile SOIC package APPLICATIONS • Disconnect switches • Motor control 文件：171.4 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN2A02N8TA	文件：164.48 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：164.48 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN2A02N8TC	文件：171.4 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • Low profile SOIC package APPLICATIONS • Disconnect switches • Motor control 文件：171.4 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN2A02N8TC	文件：164.48 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：164.48 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN2A02N8_07	文件：152.94 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：152.94 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN2A02N8_15	文件：164.48 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：164.48 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.2 A
PD @ TA = +25°C：
2.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
40 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
18.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SO-8

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