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ZXMN10B08E6	文件：252.81 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：252.81 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN10B08E6	文件：199.23 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：199.23 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN10B08E6	文件：206.14 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：206.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN10B08E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure\nthat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This\nmakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMN10B08E6TA	文件：458.59 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：458.59 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMN10B08E6_05	文件：199.23 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：199.23 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN10B08E6_15	文件：325.42 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：325.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN10B08E6TA	文件：325.42 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：325.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.9 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
230 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
300 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
9.2 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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