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ZXMN3A01Z

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT89 PACKAGE

文件:247.78 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

ZXMN3A01Z_15

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT89 PACKAGE

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DIODES

美台半导体

ZXMN3A01ZTA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT89 PACKAGE

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DIODES

美台半导体

ZXMN3A01Z

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance\n(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it\nideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    3.3 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.12 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    120 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    180 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    N/A V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    2.6 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    5 nC

  • Packages:

    SOT89

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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