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ZXMC6A09DN8	文件：290.57 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：290.57 Kbytes 页数：10 Pages	Zetex	Zetex
ZXMC6A09DN8	文件：282.5 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：282.5 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMC6A09DN8	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMC6A09DN8_15	文件：282.5 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：282.5 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMC6A09DN8TA	文件：290.57 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：290.57 Kbytes 页数：10 Pages	Zetex	Zetex
ZXMC6A09DN8TA	文件：282.5 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：282.5 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMC6A09DN8TA	文件：2.53362 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：2.53362 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMC6A09DN8TC	文件：282.5 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：282.5 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMC6A09DN8TC	文件：290.57 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：290.57 Kbytes 页数：10 Pages	Zetex	Zetex
ZXMC6A09DN8TC	文件：1.18462 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.18462 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.1
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
45
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
70. 80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
24.2
Packages：
SO-8

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