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VNS14NV04-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS14NV04P-E	文件：632.41 Kbytes Page：22 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS14NV04P-E is monolithic device made using STMicroelectronics™ VIPower™ M0 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environmen 文件：632.41 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS14NV04TR-E	文件：1.15181 Mbytes Page：31 Pages	fully autoprotected Power MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：1.15181 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB14NV04	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP14NV04	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNS14NV04-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
12A
导通电阻（典型值）：
35 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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